一、單極晶體管

單極晶體管又稱場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱FET(Field Effect Transistor)。它是一種由輸入電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)效應(yīng)控制輸出電流大小的電壓控制裝置。它只有一個(gè)載流子（大多數(shù)載流子）參與導(dǎo)電，因此被稱為單極晶體管。

特點(diǎn)：

輸入電阻高，可達(dá)107 ~ 1015 Ω，絕緣格柵場(chǎng)效應(yīng)管(IGFET) 可高達(dá) 1015 Ω。

噪音低，熱穩(wěn)定性好，工藝簡(jiǎn)單，易于集成，設(shè)備特性控制方便，功耗小，體積小，成本低。

分類：

根據(jù)材料的不同，可分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管JFET (Junction Field Effect Transistor)IGFET和絕緣格柵場(chǎng)效應(yīng)管(Insulated Gate FET) 。

二、雙極晶體管

雙極晶體管又稱晶體三極管，是由輸入電流控制輸出電流的電流控制裝置，具有電流放大的作用。它有兩種載流子，電子和空穴參與導(dǎo)電過(guò)程，因此被稱為雙極三極管。

特點(diǎn)：

三極管可用于放大微弱信號(hào)，并作為無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。它具有結(jié)構(gòu)牢固、使用壽命長(zhǎng)、體積小、功耗低等一系列獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域。

分類：

根據(jù)材料的不同，晶體三極管可分為硅管(Si)與鍺管(Ge)。

硅三極管反向泄漏電流小，耐壓高，溫度漂移小，在高溫下工作，功率損失大。鍺三極管增益大，頻率響應(yīng)好，特別適用于低壓線路。